IS210AEPSG1A

发布时间：2019-07-01 09:23:43

GE IS210AEPSG1A

2018年3月7日，推动高能效创新的安森美半导体(***emiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出***全新的高密度电源适配器方案，用于需要兼容USB供电(USBPD)或高通QuickCharge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。这一包含多项正待批专利的方案，包括有源钳位反激(ACF)控制器NCP1568和一个相应的高速半桥驱动器NCP51530。该方案是一个65W符合USB-PD的适配器，具有30W/in^3的功率密度，以94.5%的峰值能效工作。

NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制(PWM)控制器，采用ACF拓扑结构，包含零电压开关(ZVS)，用于要求高功率密度和高能效的高频应用(高达1MHz)。此外，NCP1568控制器可以应用经验证的超结(SJ)FET或高性能氮化***(GaN)FET的ACF拓扑结构。

通过包含高压启动，一个基于NCP1568的方案只需少量外部元件，降低待机能耗。此外，工作的高频率使无源元件尺寸得以缩减，大幅提高功率密度。它能够无缝过渡到非连续导电模式(DCM)，进一步提高轻载条件下的能效，使待机功率水平低于30毫瓦(mW)。这也使电源设计人员能通过***能效监管标准。自适应ZVS频率调制提供可变输出电压，优化USB-PD和快速充电的实施。

NCP1568采用小型TSSOP-16封装，具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声，这是室内电源适配器应用的一个基本需求。

NCP51530A/B是700伏(V)高频率、***与低端驱动器，可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率MOSFET。其特点是快速的动态响应，30纳秒(ns)的传播延迟对于高频工作是理想的，而5ns的传播延迟匹配确保***市场的能效性能。

这器件提供非常强固的方案，具有高dv/dt***性(高达50V/ns)和负瞬态***性。它采用SOIC-8或DFN-10封装，后者提供了改进的爬电距离和一个***焊盘。另有一个采用SO-8封装，通过AEC-Q100认证的版本，适用于高要求的汽车应用。

安森美半导体AC-DC业务部市场与应用总监RyanZahn表示：“这方案代表现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。NCP1568ACF控制器具备***的功能和灵活的操作，提供***的能效;同时使用了SJFET，且只需少量外部元件，实现USBPD的高密度设计。NCP51530驱动器是一款高速、高性能、强固的电源方案，亦包括针对汽车应用的AECQ-100认证选择。”

安森美半导体现提供NCP1568和NCP51530样品，并将于2018年第二季度***量产。

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